多晶硅按不同的用途可分為太陽能級多晶硅和電子級多晶硅兩類。太陽能級多晶硅的純度一般在5～7N，主要雜質(zhì)為Fe、Cr、Ni、Cu、Zn 等，金屬雜質(zhì)總含量≤0.2(太陽能三級品要求)。電子級多晶硅一般含Si＞99.9999%以上，超高純達(dá)到99.9999999%～99.999999999%，即9～11N，其導(dǎo)電性為10- 4～1010Ω·cm，碳濃度＜2×1016at·cm- 3。

 

油脂、水分、氯離子殘留、金屬氧化物、氯化物、灰塵及其他雜質(zhì)，對多晶硅的純度影響極大。在多晶硅設(shè)備制造、安裝和多晶硅生產(chǎn)過程中清洗是十分重要的部分，要按多晶硅生產(chǎn)工藝，對不同潔凈度要求、不同材質(zhì)的設(shè)備采用不同的清洗方法。'

 

 

 

1、設(shè)備制造階段的清洗

 

金屬設(shè)備及管道、零件需要在除漆前將表面的氧化皮和鐵銹除掉，設(shè)備內(nèi)部的油脂、軋制鱗片、銹皮等也需要進(jìn)行清洗。

 

2、多晶硅設(shè)備安裝階段的清潔

 

由于工藝管道輸送的介質(zhì)特性及產(chǎn)品純度要求，對管道的焊接質(zhì)量及內(nèi)部清潔、吹掃試壓均有較高要求，對設(shè)備進(jìn)場驗(yàn)收、檢驗(yàn)及安裝、內(nèi)部處理也有較高要求，因此設(shè)備制造結(jié)束后的清洗處理至關(guān)重要。在裝置進(jìn)行試生產(chǎn)前期，系統(tǒng)注入四氯化硅進(jìn)行循環(huán)清洗約2～3個(gè)月，時(shí)間的長短取決于設(shè)備前期清洗情況。

 

3、多晶硅設(shè)備生產(chǎn)期間的清洗

 

還原爐和氫化爐是改良西門子法生產(chǎn)多晶硅的核心設(shè)備，其運(yùn)行好壞直接影響多晶硅質(zhì)量及生產(chǎn)成本。多晶硅生產(chǎn)對還原爐的沉積環(huán)境的潔凈度要求特別關(guān)鍵，任何顆粒性雜質(zhì)、油脂等物質(zhì)余留在爐內(nèi)，都會對產(chǎn)品質(zhì)量造成影響。北京德高潔清潔設(shè)備有限公司經(jīng)過研發(fā)設(shè)計(jì)并制造出了多晶硅自動化還原爐鐘罩清洗系統(tǒng)